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Beschichtungen

Eine Vielzahl von galvanischen Beschichtungsmethoden sind bei der Bearbeitung von unterschiedlichen Forschungsprojekten entwickelt worden. In erster Linie handelt es sich dabei um Beschichtungen von Cu(In, Ga) Se2 und CdTe auf verschiedenen Substraten, die sich zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen eignen.

Daneben steht eine kommerziell erhältliche Si-Nitrid-Beschichtungsanlage zur Verfügung, mit der sich individuelle Schichtsysteme auf Si-Solarzellen in Kleinserien erzeugen lassen.

Eine Besonderheit ist die Atomlagenabscheidung von Al2O3. Die neuartige Anwendung dieses Verfahrens auf Siliciumsolarzellen ermöglicht die Abscheidung hervorragend passivierender Oberflächenvergütungsschichten auf p+-dotierten Emitterbereichen.

Thermische Verdampfer und Elektronenstrahl-Verdampfer

Das ISFH verfügt über verschiedene Batch- und Inline-Vakuumaufdampfanlagen mit thermischen Verdampfern und Elektronenstrahlverdampfern. Mit diesen Anlagen können folgende Metalle und Dielektrika verdampft werden:

  • Aluminium
  • Titan
  • Palladium
  • Silber
  • Nickel
  • Gold
  • Kupfer
  • SiO2
  • SiNx.

Aluminiumdraht beim Schmelzprozess

Acht Aluminium-Drähte werden bei rund 1400° auf Bornitrid-Schiffchen geschmolzen und verdampft.

Sputtern

Für Beschichtungen mit Hilfe der Sputtertechnik sind am ISFH verschiedene Vakuumsputterkammern vorhanden (DC, gepulstes DC, RF und MF). Alle sputterfähigen Materialien können verwendet werden. Dazu zählen:

  • Aluminium
  • Molybdän
  • Nickel
  • Nickel:Silizium (95,5:4,5)
  • Nickel:Vanadium (93:7)
  • Silber
  • Silizium
  • Tantal
  • Titan
  • Wolfram

Durch reaktives Sputtern dieser Materialien oder durch den Einsatz oxidischer bzw. nitridischer Targets können auch Oxide und Nitride aufgebracht werden:

  • SiO2
  • SiNx
  • Al2O3
  • AlN
  • ZnO
  • ZnO:Al
  • In2O3:SnO2.
Gasplasma in der Beschichtungskammer

Leuchtendes Argonplasma an einem Silberrotationstarget in der ATON-Inline-Beschichtungsanlage.

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