English 

Patente

Im Folgenden finden Sie eine Übersicht zu Schutzrechten am ISFH. Aufgelistet sind allein erteilte Patente (Stand 18.05.2016).

Informationen zu laufenden Patenterteilungsverfahren erhalten Sie bei Herrn Dr. Karsten Bothe (Abteilungsleiter PV, Verträge & Patente, k.bothe@isfh.de 05151 999 425) oder Herrn Markus Klöpper (Recht, m.kloepper@isfh.de 05151 999 406). Diese werden sie bei technischen Fragen mit dem zuständigen Mitarbeiter des ISFH in Kontakt bringen und sind Erstansprechpartner für Fragen möglicher Kooperationen / Lizenzierungen.

WO 2006/042 698 A1

Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle

Diese Erfindung betrifft eine Solarzelle, bei der sowohl ein Emitterkontakt als auch ein Basiskontakt an einer Rückseite eines Halbleitersubstrates angeordnet sind, und ein Verfahren zu deren Herstellung. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren, um an der Rückseite einer Solarzelle angeordnete Basis- und Emitterkontakte elektrisch zu trennen.

Die Erfindung ist als Patent erteilt in, China, Japan und Südkorea. In weiteren Ländern läuft das Erteilungsverfahren noch. Einen ersten Überblick finden Sie hier: WIPO

WO 2007/107 339 A1

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einem gezielt dotierten Oberflächenbereich unter Verwendung von Aus-Diffusion und entsprechendes Halbleiterbauelement

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einem gezielt dotierten Oberflächenbereich und ein entsprechendes Halbleiterbauelement. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung die Herstellung eines Halbleiterbauelementes wie z. B. einer Dünnschicht-Solarzelle unter Verwendung eines Schichttransfer-Verfahrens.

Die Erfindung ist in Europa als Patent erteilt und in Deutschland, Frankreich, Griechenland, Italien und Spanien validiert. In weiteren Ländern läuft das Erteilungsverfahren noch. Einen ersten Überblick finden Sie hier: WIPO

DE 10 2008 013 068 B4

Verfahren und Vorrichtung zur ortsaufgelösten Bestimmung von Ladungsträgerlebensdauern in Halbleiterstrukturen

Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur ortsaufgelösten Bestimmung einer lokalen Ladungsträgerlebensdauer in einer Halbleiterstruktur vorgeschlagen. Überschussladungsträger werden in der Halbleiterstruktur (1) innerhalb eines vorgebbaren Anregungszeitintervalls beispielsweise mit Hilfe einer Lichtquelle (7) erzeugt. Für eine Mehrzahl von Teiloberflächen der Halbleiterstruktur werden gleichzeitig jeweils ortsabhängige erste Messwerte S1 und zweite Messwerte S2 durch Aufintegrieren von einer Konzentration der Überschussladungsträger abhängigen Messsignalen innerhalb jeweils eines ersten bzw. zweiten Zeitintervalls bestimmt, wobei das erste Zeitintervall vor dem zweiten Zeitintervall endet.

Durch In-Relationsetzen der jeweiligen ersten Messwerte S1 mit den jeweiligen zweiten Messwerten S2 für jede der Teiloberflächen kann der jeweilige Wert einer lokalen Ladungsträgerlebensdauer für jede der Teiloberflächen ermittelt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt eine schnelle ortsaufgelöste Bestimmung der lokalen Ladungsträgerlebensdauer und erfordert keine vorhergehende Kalibrierung.

Die Erfindung ist in Deutschland zum Patent erteilt. Weitere Anmeldungen und Erteilungen existieren nicht. Die Patentschrift können sie hier einsehen: DPMA

DE 10 2009 024 471 B4

Verfahren zum Metallisieren eines Halbleitersubstrates, Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Metallisieren eines Halbleitersubstrates, insbesondere ein Verfahren zum Metallisieren eines Siliziumsubstrates mit einer Aluminiumschicht. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle.

Die Erfindung ist in Deutschland zum Patent erteilt. Weitere Anmeldungen und Erteilungen existieren nicht. Die Patentschrift können sie hier einsehen: DPMA

EP 2 607 814 B1

Sonnenkollektor mit nach oben angeordneter Glasscheibe, die Wärmestrahlung reduziert abgibt und die im direkten Kontakt zur Absorber-Wärmeübertrager-Kombination steht

Die Erfindung betrifft einen Sonnenkollektor zur Erzeugung von Niedertemperaturwärme vorzugsweise im Temperaturbereich zwischen 0 K bis 40 K oberhalb der Umgebungstemperatur, bei dem die äußere Abdeckung aus einer Glasscheibe besteht, die nach außen mit einer für Solarstrahlung hoch durchlässigen und für Wärmestrahlung niedrig emittierenden Beschichtung versehen ist und die im direkten Kontakt mit der Absorber-Wärmeübertrager-Kombination steht.

Die Erfindung ist in Europa als Patent erteilt und in Deutschland, Frankreich, Großbritannien, den Niederlanden, der Schweiz und der Türkei validiert. Einen ersten Überblick finden Sie hier: EPO.

Bild 4, Patent EP 2 607 814 B1

© 2006-2014 Institut für Solarenergieforschung GmbH, Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal - Tel. 05151-999-100 - info@isfh.de