Material- und Prozessevaluation

Ansprechpartnerin
Dr. Bianca Lim
Tel.: +49(0)5151-999 403
E-Mail:

Das ISFH bietet neben Referenz-Solarzellprozessen auch die Evaluierung von Einzelprozessen und Materialien in Kreuzprozessierungen als Dienstleistung an. So können Sie Ihre Materialien (z. B. Si-Wafer oder Metall-Pasten) und Prozesse (z.B. nasschemische Reinigungen, Diffusionen, Laserbearbeitung) mit unserem etablierten Benchmark vergleichen oder Wechselwirkungen mit anderen Prozessen untersuchen lassen (z. B. Ihre neue dielektrische Schicht mit Laserablation). Dies umfasst je nach Kundenwunsch auch das Bereitstellen von unterschiedlichem Silizium-Material sowie die elektrische und optische Charakterisierung.

Wir verfügen über eine sehr umfangreiche und hochmoderne apparative Ausstattung für die Prozessierung von Halbleitern: angefangen bei Reinigungs- bzw. Ätzverfahren, über die Plasma-unterstützte Abscheidung von Passivierschichten, Laserbearbeitung, Diffusionen und Oxidationen bis hin zur Metallisierung durch Siebdruck, Aufdampf- oder Sputterverfahren.

 

Eine Auswahl von Einzelprozessen:

Nasschemische Prozesse

  • Rückätzen von Sägeschaden oder hochdotierten Oberflächen
  • Alkalische Textur
  • PSG-/BSG-Ätze
  • RCA-Reinigung
  • HF/HCl-Reinigung
  • Chemische Politur
  • Kantenisolation
  • Einseitiges Rückätzen von SiOx

Plasmabeschichtungen

  • PECVD-SiN (SiNA, Roth&Rau)
  • Plasma- und Spatial-ALD-AlOx (Oxford Instruments bzw. SolayTec)
  • PECVD-Abscheidung von Bor- und Phosphor-haltigen SiO2-Schichten („dotierte Oxide“, zum Einsatz als Dotierquelle)
  • TCO

Laserbearbeitung

  • Ablation dielektrischer Schichten
  • Laserdotieren zur Formierung des selektiven Emitters bzw. Front-Surface-Fields
  • Aufschmelzen metallischer bzw. metallhaltiger Schichten zur elektrischen (LFC) und/oder mechanischen (AMELI) Kontaktierung
  • Schneiden, Bohren und Markieren von Silizium, Glas und metallischen Folien

Hochtemperaturprozesse

  • Phosphor-Diffusion (POCl3)
  • Bor-Diffusion (BBr3)
  • Oxidation (nass und trocken)
  • Ausheilprozess nach Ionenimplantation
  • Ausbildung von POLO-Kontakten
  • Ko-Diffusion mit dotierten Oxiden

Metallisierung

  • Siebdruck (Single-, Dual-, Triple-Print)
  • Aufdampfen von Aluminium (PVD)
  • Sputtern von Ag, Ni, SiO

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