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2010

B. Lim, A. Liu, F. Rougieux, D. Macdonald, K. Bothe, and J. Schmidt

Boron-Oxygen-Related Recombination Centers in Compensated Silicon Inproceedings

WIP (Hrsg.): 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 1205-1209, Valencia, Spain, (2010), ISBN: 3-936338-26-4.

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, Czochralski silicon, Lifetime, Phosphorus, recombination

2009

B. Lim, A. Liu, D. Macdonald, K. Bothe, and J. Schmidt

Impact of dopant compensation on the deactivation of boron-oxygen recombination centers in crystalline silicon Artikel

Applied Physics Letters 95 (23), 232109, (2009).

Links | BibTeX | Schlagwörter: activation energies, boron, Doping, electron densities of states, silicon

M. A. Kessler, T. Ohrdes, B. Wolpensinger, R. Bock, and N. P. Harder

Characterisation and implications of the boron rich layer resulting from open-tube liquid source BBR3 boron diffusion processes Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2009 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 001556-001561, Philadelphia, PA, USA, (2009), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, charge carrier lifetime, Degradation, Diffusion processes, Furnaces, Glass, oxygen, Scanning electron microscopy, silicon, Temperature

D. Macdonald, F. Rougieux, A. Cuevas, B. Lim, J. Schmidt, Di. M. Sabatino, and L. J. Geerligs

Light-induced boron-oxygen defect generation in compensated p-type Czochralski silicon Artikel

Journal of Applied Physics 105 (9), 093704, (2009).

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, carrier mobility, crystal defects, Doping, silicon

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