Veröffentlichungen

Zeige alle

2017

V. Steckenreiter, D. C. Walter, and J. Schmidt

Kinetics of the permanent deactivation of the boron-oxygen complex in crystalline silicon as a function of illumination intensity Artikel

AIP Advances 7 (3), 035305, (2017).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier density, illumination, plasma chemical vapor deposition, semiconductor device fabrication, silicon

2016

D. Bredemeier, D. Walter, S. Herlufsen, and J. Schmidt

Lifetime degradation and regeneration in multicrystalline silicon under illumination at elevated temperature Artikel

AIP Advances 6 , 035119, (2016).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, crystal defects, illumination, semiconductor device fabrication, Solar Cells

2014

D. C. Walter, B. Lim, K. Bothe, V. V. Voronkov, R. Falster, and J. Schmidt

Effect of rapid thermal annealing on recombination centres in boron-doped Czochralski-grown silicon Artikel

Applied Physics Letters 104 (4), 042111, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, illumination, nucleation, semiconductor device fabrication, surface passivation

2011

V. V. Voronkov, R. Falster, K. Bothe, B. Lim, and J. Schmidt

Lifetime-degrading boron-oxygen centres in p-type and n-type compensated silicon Artikel

Journal of Applied Physics 110 (6), 063515, (2011).

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, electron densities of states, free energy, illumination, silicon

2010

S. Steingrube, P. P. Altermatt, D. S. Steingrube, J. Schmidt, and R. Brendel

Interpretation of recombination at c-Si/SiNx interfaces by surface damage Artikel

Journal of Applied Physics 108 (1), 014506, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Doping, illumination, passivation, Solar Cells, surface passivation

B. Lim, K. Bothe, and J. Schmidt

Impact of oxygen on the permanent deactivation of boron–oxygen-related recombination centers in crystalline silicon Artikel

Journal of Applied Physics 107 (12), 123707, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Annealing, carrier lifetimes, illumination, interstitial defects, ozone

2009

K. Ramspeck, K. Bothe, J. Schmidt, and R. Brendel

Combined dynamic and steady-state infrared camera based carrier lifetime imaging of silicon wafers Artikel

Journal of Applied Physics 106 (11), 114506, (2009).

Links | BibTeX | Schlagwörter: calibration, Cameras, carrier density, carrier lifetimes, illumination

2008

B. Lim, S. Hermann, K. Bothe, J. Schmidt, and R. Brendel

Solar cells on low-resistivity boron-doped Czochralski-grown silicon with stabilized efficiencies of 20% Artikel

Applied Physics Letters 93 (16), 162102, (2008).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, dielectric nitrides, illumination, silicon, Solar Cells

H. Plagwitz, B. Terheiden, and R. Brendel

Staebler–Wronski-like formation of defects at the amorphous-silicon–crystalline silicon interface during illumination Artikel

Journal of Applied Physics 103 (9), 094506, (2008).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, crystal defects, dangling bonds, illumination, interface structure

Um unsere Website für Sie optimal zu gestalten und fortlaufend verbessern zu können, verwenden wir Cookies. Durch die weitere Nutzung der Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Zur statistischen Auswertung der Besuche unserer Website nutzen wir die Analyse-Software Matomo. Weitere Informationen finden Sie <a href="https://isfh.de/data-protection-policy/">hier</a> in unserer Datenschutzerklärung. Dort befindet sich eine Möglichkeit, der Verarbeitung von Daten durch Matomo zu widersprechen Datenschutzerklärung

Zur statistischen Auswertung der Besuche unserer Website nutzen wir Matomo und die dazu notwendigen Cookies. Weitere Informationen und die Möglichkeit dem Tracking zu widersprechen finden Sie unter "Datenschutz". Piwik verwendet sogenannte "Cookies", das sind kleine Textdateien, die auf Ihrem Computer gespeichert werden und die eine Analyse der Benutzung der Internetseiten durch Sie ermöglichen. Unsere Datenschutzseite

Schließen