Veröffentlichungen

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2018

B. A. Veith-Wolf, S. Schäfer, R. Brendel, and J. Schmidt

Reassessment of intrinsic lifetime limit in n-type crystalline silicon and implication on maximum solar cell efficiency Artikel

Solar Energy Materials and Solar Cells 186 , 194-199, (2018), ISSN: 0927-0248.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Aluminum oxide, Auger recombination, charge carrier lifetime, Intrinsic lifetime, silicon, surface passivation

2017

B. A. Veith-Wolf, and J. Schmidt

Unexpectedly High Minority-Carrier Lifetimes Exceeding 20 ms Measured on 1.4-Ω cm n-Type Silicon Wafers Artikel

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 11 (11), 1700235, (2017), ISSN: 1862-6270, (1700235).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Al2O3, Auger recombination, intrinsic recombination, minority carrier lifetime, silicon, surface passivation

2012

A. Richter, F. Werner, A. Cuevas, J. Schmidt, and S. W. Glunz

Improved Parameterization of Auger Recombination in Silicon Artikel

Energy Procedia 27 , 88-94, (2012), ISSN: 1876-6102, (Proceedings of the 2nd International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics SiliconPV 2012).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Aluminum oxide, Auger recombination, crystalline silicon, Radiative recombination, surface passivation

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