Veröffentlichungen

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2017

C. Gemmel, J. Hensen, S. Kajari-Schröder, and R. Brendel

4.5 ms Effective Carrier Lifetime in Kerfless Epitaxial Silicon Wafers From the Porous Silicon Process Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 7 (2), 430-436, (2017), ISSN: 2156-3381.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: charge carrier lifetime, Epitaxial growth, Epitaxy, Gettering, minority carrier lifetime, porous silicon (PSI), silicon, Substrates, Surface treatment, Temperature measurement

2016

J. Krügener, Y. Larionova, B. Wolpensinger, D. Tetzlaff, S. Reiter, M. Turcu, R. Peibst, J. -D. Kähler, and T. Wietler

Dopant diffusion from p+-poly-Si into c-Si during thermal annealing Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2451-2454, Portland, OR, USA, (2016), ISBN: 978-1-5090-2725-5.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Annealing, boron, diffusion, junction formation, Junctions, low pressure chemical vapor deposition, passivating contacts, Resistance, Scanning electron microscopy, silicon, Substrates, Temperature measurement

V. Steckenreiter, J. Hensen, A. Knorr, S. Kajari-Schröder, and R. Brendel

Reuse of substrate wafers for the porous silicon layer transfer Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 6 (3), 783-790, (2016).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Carrier lifetime, charge carrier lifetime, Contamination, Epitaxial growth, epitaxial layer, Epitaxial layers, layer transfer, Photovoltaic systems, porous silicon (PSI) process, silicon, substrate reuse, Substrates

2014

J. H. Petermann, H. Schulte-Huxel, V. Steckenreiter, S. Kajari-Schroder, and R. Brendel

Principle of module-level processing demonstrated at single a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 4 (4), 1018-1024, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Contact recombination velocity, Glass, heterojunction, Hybrid silicon, Indium tin oxide, laser-fired and bonding contacts (LFBCs), module-level processing, passivation, Photovoltaic cells, silicon, Silicon compounds, silicone, Substrates

2012

H. Schulte-Huxel, Bock.. R. S. Blankemeyer, A. Merkle, and R. Brendel

Aluminum-based mechanical and electrical laser interconnection process for module integration of silicon solar cells Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 2 (1), 16-21, (2012).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Al-metallization, Back-contact solar cells, Glass, Laser microwelding, Lasers, Lead-free, Measurement by laser beam, module-level interconnection, Photovoltaic cells, photovoltaic module, Stress, Substrates, Welding

2010

Y. Larionova, N. P. Harder, and R. Brendel

Effect of SiO2 thicknesses in thermal-SiO2/PECVD-SiN stacks on surface passivation of n-type Cz silicon substrates Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2010 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 001207-001209, Honolulu, HI, USA, (2010), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Annealing, Degradation, passivation, silicon, Silicon compounds, Substrates

2009

F. Haase, R. Horbelt, B. Terheiden, H. Plagwitz, and R. Brendel

Back contact monocrystalline thin-film silicon solar cells from the porous silicon process Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2009 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 000244-000246, Philadelphia, PA, USA, (2009), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Etching, Lithography, metallization, Optical pulses, passivation, Photovoltaic cells, Semiconductor thin films, Silicon compounds, Substrates, Surface emitting lasers

E. G. Rojas, C. Hampe, H. Plagwitz, and R. Brendel

Formation of mesoporous gallium arsenide for lift-off processes by electrochemical etching Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2009 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 001086-001089, Philadelphia, PA, USA, (2009), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Conductive films, Conductivity, Epitaxial growth, Etching, Gallium arsenide, Glass, Mesoporous materials, Molecular beam epitaxial growth, Substrates, X-ray scattering

2008

B. Hoex, J. Schmidt, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels

Crystalline silicon surface passivation by the negative-charge-dielectric Al2O3 Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2008 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1-4, San Diego, CA, USA, (2008), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: atomic layer deposition, Conductivity, Crystallization, Doping, passivation, Photovoltaic cells, Plasma temperature, silicon, Substrates, Velocity measurement

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