Veröffentlichungen

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2018

V. Titova, and J. Schmidt

Implementation of full-area-deposited electron-selective TiOx layers into silicon solar cells Artikel

AIP Advances 8 (12), 125023, (2018).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: atomic layer deposition, Electrical properties and parameters, Internal quantum efficiency, passivation, Solar Cells, Transition metal oxides, Work functions

2017

V. Titova, B. Veith-Wolf, D. Startsev, and J. Schmidt

Effective passivation of crystalline silicon surfaces by ultrathin atomic-layer-deposited TiOx layers Artikel

Energy Procedia 124 (Supplement C), 441 - 447, (2017), ISSN: 1876-6102, (7th International Conference on Silicon Photovoltaics, SiliconPV 2017, 3-5 April 2017, Freiburg, Germany).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: atomic layer deposition, electron-selective contact, Silicon solar cell, surface passivation, Titanium oxide

2011

D. Zielke, J. H. Petermann, F. Werner, B. Veith, R. Brendel, and J. Schmidt

Contact passivation in silicon solar cells using atomic-layer-deposited aluminum oxide layers Artikel

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 5 (8), 298-300, (2011), ISSN: 1862-6270.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Aluminum oxide, atomic layer deposition, contact passivation, silicon, Solar Cells

P. Poodt, V. Tiba, F. Werner, J. Schmidt, A. Vermeer, and F. Roozeboom

Ultrafast Atomic Layer Deposition of Alumina Layers for Solar Cell Passivation Artikel

Journal of The Electrochemical Society 158 (9), H937-H940, (2011).

Links | BibTeX | Schlagwörter: alumina, atomic layer deposition, elemental semiconductors, passivation, silicon, Solar Cells, thin films

F. Werner, B. Veith, D. Zielke, L. Kühnemund, C. Tegenkamp, M. Seibt, R. Brendel, and J. Schmidt

Electronic and chemical properties of the c-Si/Al2O3 interface Artikel

Journal of Applied Physics 109 (11), 113701, (2011).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, atomic layer deposition, carrier density, ozone, passivation

2010

F. Werner, B. Veith, V. Tiba, P. Poodt, F. Roozeboom, R. Brendel, and J. Schmidt

Very low surface recombination velocities on p- and n-type c-Si by ultrafast spatial atomic layer deposition of aluminum oxide Artikel

Applied Physics Letters 97 (16), 162103, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Aluminum, atomic layer deposition, carrier density, ozone, surface passivation

R. Bock, J. Schmidt, S. Mau, B. Hoex, and R. Brendel

The ALU+ Concept: N-Type Silicon Solar Cells With Surface-Passivated Screen-Printed Aluminum-Alloyed Rear Emitter Artikel

IEEE Transactions on Electron Devices 57 (8), 1966-1971, (2010), ISSN: 0018-9383.

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium oxide, Aluminum oxide, amorphus silicon, atomic layer deposition, Current density, emitter passivation, Etching, metallization, n-type silicon, passivation, Photovoltaic cells, screen-printed emitter, silicon

2009

R. Bock, J. Schmidt, S. Mau, B. Hoex, E. Kessels, and R. Brendel

The ALU+ concept: N-type silicon solar cells with surface-passivated screen-printed aluminum-alloyed rear emitter Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2009 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 000030-000035, Philadelphia, PA, USA, (2009), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Aluminum oxide, Amorphous silicon, atomic layer deposition, Chemicals, Current density, passivation, Plasma chemistry, Plasma displays, Silicon compounds, Stability

2008

B. Hoex, J. Schmidt, P. Pohl, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels

Silicon surface passivation by atomic layer deposited Al2O3 Artikel

Journal of Applied Physics 104 (4), 044903, (2008).

Links | BibTeX | Schlagwörter: atomic layer deposition, Doping, ozone, surface passivation, thin films

B. Hoex, J. Schmidt, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels

Crystalline silicon surface passivation by the negative-charge-dielectric Al2O3 Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2008 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1-4, San Diego, CA, USA, (2008), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: atomic layer deposition, Conductivity, Crystallization, Doping, passivation, Photovoltaic cells, Plasma temperature, silicon, Substrates, Velocity measurement

J. Schmidt, A. Merkle, B. Hoex, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, and R. Brendel

Atomic-layer-deposited aluminum oxide for the surface passivation of high-efficiency silicon solar cells Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2008 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1-5, San Diego, CA, USA, (2008), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Aluminum oxide, atomic layer deposition, Atomic measurements, Oxidation, passivation, Photovoltaic cells, Plasma measurements, Plasma temperature, Silicon compounds, Velocity measurement

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