Veröffentlichungen

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2017

J-C. Stang, M-S. Hendrichs, A. Merkle, R. Peibst, B. Stannowski, L. Korte, and B. Rech

ITO-free metallization for interdigitated back contact silicon heterojunction solar cells Artikel

Energy Procedia 124 (Supplement C), 379-383, (2017), ISSN: 1876-6102, (7th International Conference on Silicon Photovoltaics, SiliconPV 2017, 3-5 April 2017, Freiburg, Germany).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, aluminum doped zinc-oxide, back contact, ITO, metallization, silicon heterojunction

2015

H. Steinkemper, M. Rauer, P. Altermatt, F. D. Heinz, C. Schmiga, and M. Hermle

Adapted parameterization of incomplete ionization in aluminum-doped silicon and impact on numerical device simulation Artikel

Journal of Applied Physics 117 , 074504, (2015).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, ground states, ionization, silicon, silicon doping

B. Veith-Wolf, J. Wang, M. Hannu-Kuure, N. Chen, A. Hadzic, P. Williams, J. Leivo, A. Karkkainen, and J. Schmidt

Liquid-phase-deposited siloxane-based capping layers for silicon solar cells Artikel

Applied Physics Letters 106 (5), 052104, (2015).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, passivation, silicon, Solar Cells, surface passivation

2014

F. Werner, and J. Schmidt

Manipulating the negative fixed charge density at the c-Si/Al2O3 interface Artikel

Applied Physics Letters 104 (9), 091604, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, carrier density, ozone, semiconductor device characterization, silicon

F. Werner, Y. Larionova, D. Zielke, T. Ohrdes, and J. Schmidt

Aluminum-oxide-based inversion layer solar cells on n-type crystalline silicon: fundamental properties and efficiency potential Artikel

Journal of Applied Physics 115 (7), 073702, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, Contact resistance, ozone, silicon, Solar Cells

2012

F. Werner, A. Cosceev, and J. Schmidt

Interface recombination parameters of atomic-layer-deposited Al2O3 on crystalline silicon, Artikel

Journal of Applied Physics 111 (7), 073710, (2012).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, band gap, carrier density, ozone, surface charge

2011

J. -P. Heinß, C. Mader, A. Merkle, T. Brendemühl, R. Brendel, L. Ehlers, and R. Meyer

In-Line High-Rate Deposition of Aluminum Onto RISE Solar Cells by Electron Beam Technology Inproceedings

WIP (Hrsg.): 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 2121-2124, Hamburg, Germany, (2011), ISBN: 3-936338-27-2.

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, back contact, Electron Beam Evaporation, High Deposition Rate

F. Werner, B. Veith, D. Zielke, L. Kühnemund, C. Tegenkamp, M. Seibt, R. Brendel, and J. Schmidt

Electronic and chemical properties of the c-Si/Al2O3 interface Artikel

Journal of Applied Physics 109 (11), 113701, (2011).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, atomic layer deposition, carrier density, ozone, passivation

2010

F. Heinemeyer, C. Mader, D. Münster, T. Dullweber, and R. Brendel

Inline High-Rate Thermal Evaporation of Aluminium for Novel Industrial Solar Cell Metallization Inproceedings

WIP (Hrsg.): 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 2066-2068, Valencia, Spain, (2010), ISBN: 3-936338-26-4.

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, Contact, Inline, Metallisation, metallization

2009

J. Schmidt, N. Thiemann, R. Bock, and R. Brendel

Recombination lifetimes in highly aluminum-doped silicon Artikel

Journal of Applied Physics 106 (9), 093707, (2009).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, diffusion, Doping, electric fields, silicon

J. Schmidt, N. Thiemann, R. Bock, and R. Brendel

Lifetimes in aluminum-doped silicon Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2009 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 001732-001735, Philadelphia, PA, USA, (2009), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, Carrier lifetime, elemental semiconductors, silicon

2008

R. Bock, J. Schmidt, R. Brendel, H. Schuhmann, and M. Seibt

Electron microscopy analysis of crystalline silicon islands formed on screen-printed aluminum-doped p-type silicon surfaces Artikel

Journal of Applied Physics 104 (4), 043701, (2008).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, Doping, Etching, silicon, surface structure

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