Veröffentlichungen

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2018

D. C. Walter, L. Helmich, D. Bredemeier, J. Schmidt, R. Falster, and V. V. Voronkov

Lifetime Evolution during Regeneration in Boron-Doped Czochralski-Silicon Inproceedings

WIP (Hrsg.): Proceedings of the 35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 522-526, Brussels, Belgium, (2018).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: boron-oxygen defect, Czochralski silicon, LID, regeneration

2017

D. C. Walter, R. Falster, V. V. Voronkov, and J. Schmidt

On the equilibrium concentration of boron-oxygen defects in crystalline silicon Artikel

Solar Energy Materials and Solar Cells 173 , 33-36, (2017), ISBN: 0927-0248, (Proceedings of the 7th international conference on Crystalline Silicon Photovoltaics).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: boron-oxygen, Carrier lifetime, Czochralski silicon

V. Steckenreiter, D. C. Walter, and J. Schmidt

Two-stage permanent deactivation of the boron-oxygen-related recombination center in crystalline silicon Artikel

Energy Procedia 124 (Supplement C), 799-805, (2017), ISSN: 1876-6102, (7th International Conference on Silicon Photovoltaics, SiliconPV 2017, 3-5 April 2017, Freiburg, Germany).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: boron-oxygen defect, Carrier lifetime, Czochralski silicon, Permanent deactivation

2011

B. Lim, K. Bothe, V. Voronkov, R. Falster, and J. Schmidt

Light-Induced Degradation of the Carrier Lifetime in n-Type Czochralski-Grown Silicon Doped with Boron and Phosphorus Inproceedings

WIP (Hrsg.): 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 944-948, Hamburg, Germany, (2011), ISBN: 3-936338-27-2.

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, Czochralski silicon, Lifetime, Phosphorus, recombination

2010

B. Lim, A. Liu, F. Rougieux, D. Macdonald, K. Bothe, and J. Schmidt

Boron-Oxygen-Related Recombination Centers in Compensated Silicon Inproceedings

WIP (Hrsg.): 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 1205-1209, Valencia, Spain, (2010), ISBN: 3-936338-26-4.

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, Czochralski silicon, Lifetime, Phosphorus, recombination

2009

D. Macdonald, A. Liu, F. Rougieux, A. Cuevas, B. Lim, J. Schmidt, M. DiSabatino, and L. J. Geerligs

Boron-Oxygen Defects in Compensated p-Type Czochralski Silicon Inproceedings

WIP (Hrsg.): 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 877-882, Hamburg, Germany, (2009), ISBN: 3-936338-25-6.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Czochralski silicon, defects, recombination

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