Veröffentlichungen

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2017

M. R. Vogt, H. Schulte-Huxel, M. Offer, S. Blankemeyer, R. Witteck, M. Köntges, K. Bothe, and R. Brendel

Reduced module operating temperature and increased yield of modules with PERC instead of Al-BSF solar cells Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 7 (1), 44-50, (2017), ISSN: 2156-3381.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Glass, Mathematical model, Nominal operating cell temperature (NOCT), operating temperature, passivated emitter rear cell (PERC), photovoltaic (PV) module, Photovoltaic cells, PV module thermal properties, ray tracing, silicon, Temperature measurement, Temperature sensors, Thermal conductivity

2014

S. Eidelloth, and R. Brendel

Analytical theory for extracting specific contact resistances of thick samples from the transmission line method Artikel

IEEE Electron Device Letters 35 (1), 9-11, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Conductivity, Conformal mapping, Contact resistance, Finite element analysis, Geometry, Mathematical model, Photovoltaic cells, Resistance, silicon

2012

R. Chen, H. Wagner, A. Dastgheib-Shirazi, M. Kessler, Z. Zhu, P. P. Altermatt, and S. T. Dunham

Understanding coupled oxide growth and phosphorus diffusion in POCl3 deposition for control of phosphorus emitter diffusion Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2012 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference , 000213-000216, Austin, TX, USA, (2012), ISBN: 978-1-4673-0064-3.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Data models, Glass, Kinetic theory, Mathematical model, phosphorus emitter diffusion, phosphosilicate glass, POCl3 deposition, Predictive models, process modeling, Semiconductor process modeling, silicon

2011

F. E. Rougieux, M. Forster, D. Macdonald, A. Cuevas, B. Lim, and J. Schmidt

Recombination Activity and Impact of the Boron-Oxygen-Related Defect in Compensated N-Type Silicon Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 1 (1), 54-58, (2011), ISSN: 2156-3381.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Compensated, Degradation, Doping, light-induced degradation, Lighting, Mathematical model, n-Type, Photovoltaic cells, silicon

H. Wagner, A. Dastgheib-Shirazi, R. Chen, S. T. Dunham, M. Kessler, and P. P. Altermatt

Improving the predictive power of modeling the emitter diffusion by fully including the phosphsilicate glass (PSG) layer Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2011 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 002957-002962, Seattle, WA, USA, (2011), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Equations, Glass, Mathematical model, Numerical models, Semiconductor process modeling, silicon, Temperature measurement

2010

C. Mader, J. Müller, S. Gatz, T. Dullweber, and R. Brendel

Rear-side point-contacts by inline thermal evaporation of aluminum Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2010 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 001446-001449, Honolulu, HI, USA, (2010), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Aluminum, Electrical resistance measurement, Mathematical model, metallization, Photovoltaic cells, silicon, Surface treatment

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