Veröffentlichungen

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2016

M. R. Vogt, H. Hahn, H. Holst, M. Winter, C. Schinke, M. Köntges, R. Brendel, and P. P. Altermatt

Measurement of the optical constants of soda-lime glasses in dependence of iron content, and modeling of iron-related power losses in crystalline Si solar cell modules Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 6 (1), 111-118, (2016).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Ellipsometry, Extraterrestrial measurements, Glass, Iron, Iron content, Optical losses, ray tracing, soda-lime glass, solar cell module, Uncertainty, Wavelength measurement

2014

J. D. Murphy, R. E. McGuire, K. Bothe, V. V. Voronkov, and R. Falster

Competitive gettering of iron in silicon photovoltaics: Oxide precipitates versus phosphorus diffusion Artikel

Applied Physics Letters 116 (5), 053514, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, Iron, silicon, Solar Cells, solubility

H. Wagner, J. Hofstetter, B. Mitchell, A. E. Morishige, T. Buonassisi, and P. P. Altermatt

Pathway to predict solar cell efficiencies from as-grown multicrystalline silicon bricks Inproceedings

2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 1855-1859, (2014), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: brick, device simulation, Gettering, Impurities, interstitial iron, Iron, Multicrystalline silicon, PERC solar cell, Photovoltaic cells, Physics, silicon

2013

J. Schmidt, B. Lim, D. Walter, K. Bothe, S. Gatz, T. Dullweber, and P. P. Altermatt

Impurity-related limitations of next-generation industrial silicon solar cells Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 3 (1), 114-118, (2013).

Links | BibTeX | Schlagwörter: charge carrier lifetime, Curing, Impurities, Iron, Photovoltaic cells, Photovoltaic systems, Semiconductor device modeling, silicon

J. D. Murphy, K. Bothe, V. V. Voronkov, and R. J. Falster

On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon Artikel

Applied Physics Letters 102 (4), 042105, (2013).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, electron capture, electrons, Iron, silicon

2011

J. D. Murphy, K. Bothe, M. Olmo, V. V. Voronkov, and R. J. Falster

The effect of oxide precipitates on minority carrier lifetime in p-type silicon Artikel

Journal of Applied Physics 110 (5), 053713, (2011).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, dislocations, Iron, nucleation, stacking faults

2009

R. Krain, S. Herlufsen, and J. Schmidt

Low-Temperature Gettering of Iron in Mono- and Multicrystalline Silicon Inproceedings

WIP (Hrsg.): 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 965-968, Hamburg, Germany, (2009), ISBN: 3-936338-25-6.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Iron, recombination, silicon

2008

R. Krain, S. Herlufsen, and J. Schmidt

Internal gettering of iron in multicrystalline silicon at low temperature Artikel

Applied Physics Letters 93 (15), 152108, (2008).

Links | BibTeX | Schlagwörter: annealling, crystal defects, interstitial defects, Iron, silicon

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