Veröffentlichungen

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2019

M. Winter, D. Walter, D. Bredemeier, and J. Schmidt

Light-induced lifetime degradation effects at elevated temperature in Czochralski-grown silicon beyond boron-oxygen-related degradation Artikel

Solar Energy Materials and Solar Cells 201 , 110060, (2019), ISSN: 0927-0248.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: boron-oxygen defect, Carrier lifetime, Czochralski-grown silicon, LeTID

2018

L. Helmich, D. C. Walter, D. Bredemeier, R. Falster, V. V. Voronkov, and J. Schmidt

In-situ characterization of electron-assisted regeneration of Cz-Si solar cells Artikel

Solar Energy Materials and Solar Cells 185 , 283-286, (2018), ISSN: 0927-0248.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: boron-oxygen defect, Czochralski-grown silicon, LID, regeneration, solar cell

D. C. Walter, L. Helmich, D. Bredemeier, J. Schmidt, R. Falster, and V. V. Voronkov

Lifetime Evolution during Regeneration in Boron-Doped Czochralski-Silicon Inproceedings

WIP (Hrsg.): Proceedings of the 35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 522-526, Brussels, Belgium, (2018).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: boron-oxygen defect, Czochralski silicon, LID, regeneration

2017

D. C. Walter, V. Steckenreiter, L. Helmich, T. Pernau, and J. Schmidt

Production-Compatible Regeneration of Boron-Doped Czochralski-Silicon in a Combined Fast-Firing and Regeneration Belt-Line Furnace Inproceedings

WIP (Hrsg.): Proceedings of the 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 377-381, Amsterdam, The Netherlands, (2017), ISBN: 3-936338-47-7.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: boron-oxygen defect, Czochralski-grown silicon, LID, Lifetime

V. Steckenreiter, D. C. Walter, and J. Schmidt

Two-stage permanent deactivation of the boron-oxygen-related recombination center in crystalline silicon Artikel

Energy Procedia 124 (Supplement C), 799-805, (2017), ISSN: 1876-6102, (7th International Conference on Silicon Photovoltaics, SiliconPV 2017, 3-5 April 2017, Freiburg, Germany).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: boron-oxygen defect, Carrier lifetime, Czochralski silicon, Permanent deactivation

2016

D. Walter, B. Lim, and J. Schmidt

Realistic efficiency potential of next-generation industrial Czochralski-grown silicon solar cells after deactivation of the boron-oxygen-related defect center Artikel

Progress in Photovoltaics: Research and Applications 24 (7), 920-928, (2016).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: boron-oxygen defect, Czochralski-silicon, Lifetime, PERC, permanent recovery, silicon

2014

D. C. Walter, B. Lim, K. Bothe, R. Falster, V. V. Voronkov, and J. Schmidt

Lifetimes exceeding 1 ms in 1-Ohm cm boron-doped Cz-silicon Artikel

Solar Energy Materials and Solar Cells 131 , 51-57, (2014), (SiliconPV 2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron-oxygen defect, Carrier lifetime, permanent recovery, Rapid thermal annealing, RTA, silicon

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