Veröffentlichungen

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2014

R. Peibst, U. Römer, K. R. Hofmann, B. Lim, T. F. Wietler, J. Krügener, N. -P. Harder, and R. Brendel

A simple model describing the symmetric IV characteristics of p polycrystalline Si/n monocrystalline Si and n polycrystalline Si/p monocrystalline Si junctions Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 4 (3), 841-850, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Bipolar transistors (BJTs), charge carriers, Doping, Junctions, Photovoltaic cells, Resistance, Semiconductor process modeling, silicon, Tunneling

2013

H. Wagner, T. Ohrdes, A. Dastgheib-Shirazi, B. Puthen-Veettil, D. König, and P. P. Altermatt

Overcoming phosphorus emitter limitations in PERC Si solar cells by using a gallium-phosphide heteroemitter Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2013 IEEE 39th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC) , 0896-0899, Tampa, FL, USA, (2013), ISBN: 978-1-4799-3299-3.

Links | BibTeX | Schlagwörter: device simulation, Doping, gallium phosphide, phosphorus emitter, Photonic band gap, Photovoltaic cells, Radiative recombination, Semiconductor process modeling, silicon, Solids

2012

R. Chen, H. Wagner, A. Dastgheib-Shirazi, M. Kessler, Z. Zhu, P. P. Altermatt, and S. T. Dunham

Understanding coupled oxide growth and phosphorus diffusion in POCl3 deposition for control of phosphorus emitter diffusion Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2012 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference , 000213-000216, Austin, TX, USA, (2012), ISBN: 978-1-4673-0064-3.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Data models, Glass, Kinetic theory, Mathematical model, phosphorus emitter diffusion, phosphosilicate glass, POCl3 deposition, Predictive models, process modeling, Semiconductor process modeling, silicon

H. Wagner, S. Steingrube, B. Wolpensinger, A. Dastgheib-Shirazi, R. Chen, S. T. Dunham, and P. P. Altermatt

Analyzing emitter dopant inhomogeneities at textured Si surfaces by using 3D process and device simulations in combination with SEM imaging Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2012 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference , 000313-000316, Austin, TX, USA, (2012), ISBN: 978-1-4673-0064-3.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Doping profiles, emitter dopant inhomogenities, Nonhomogeneous media, saturation current density, Semiconductor process modeling, silicon, simulations, Solid modeling, Surface texture, Surface treatment, textured surfaces

2011

H. Wagner, A. Dastgheib-Shirazi, R. Chen, S. T. Dunham, M. Kessler, and P. P. Altermatt

Improving the predictive power of modeling the emitter diffusion by fully including the phosphsilicate glass (PSG) layer Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2011 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 002957-002962, Seattle, WA, USA, (2011), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Equations, Glass, Mathematical model, Numerical models, Semiconductor process modeling, silicon, Temperature measurement

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