Veröffentlichungen

Zeige alle

2012

R. Chen, H. Wagner, A. Dastgheib-Shirazi, M. Kessler, Z. Zhu, P. P. Altermatt, and S. T. Dunham

Understanding coupled oxide growth and phosphorus diffusion in POCl3 deposition for control of phosphorus emitter diffusion Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2012 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference , 000213-000216, Austin, TX, USA, (2012), ISBN: 978-1-4673-0064-3.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Data models, Glass, Kinetic theory, Mathematical model, phosphorus emitter diffusion, phosphosilicate glass, POCl3 deposition, Predictive models, process modeling, Semiconductor process modeling, silicon

2011

F. E. Rougieux, D. Macdonald, A. Cuevas, B. Lim, and J. Schmidt

Formation kinetics and extent of the boron oxygen defect in compensated n-type silicon Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2011 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 003424, Seattle, WA, USA, (2011), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, Doping, Kinetic theory, Photovoltaic systems, silicon

Um unsere Website für Sie optimal zu gestalten und fortlaufend verbessern zu können, verwenden wir Cookies. Durch die weitere Nutzung der Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Zur statistischen Auswertung der Besuche unserer Website nutzen wir die Analyse-Software Matomo. Weitere Informationen finden Sie hier in unserer Datenschutzerklärung. Dort befindet sich eine Möglichkeit, der Verarbeitung von Daten durch Matomo zu widersprechen Datenschutzerklärung

Zur statistischen Auswertung der Besuche unserer Website nutzen wir Matomo und die dazu notwendigen Cookies. Weitere Informationen und die Möglichkeit dem Tracking zu widersprechen finden Sie unter "Datenschutz". Piwik verwendet sogenannte "Cookies", das sind kleine Textdateien, die auf Ihrem Computer gespeichert werden und die eine Analyse der Benutzung der Internetseiten durch Sie ermöglichen. Unsere Datenschutzseite

Schließen