Veröffentlichungen

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2014

F. Werner, and J. Schmidt

Manipulating the negative fixed charge density at the c-Si/Al2O3 interface Artikel

Applied Physics Letters 104 (9), 091604, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, carrier density, ozone, semiconductor device characterization, silicon

F. Werner, Y. Larionova, D. Zielke, T. Ohrdes, and J. Schmidt

Aluminum-oxide-based inversion layer solar cells on n-type crystalline silicon: fundamental properties and efficiency potential Artikel

Journal of Applied Physics 115 (7), 073702, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, Contact resistance, ozone, silicon, Solar Cells

2012

F. J. Ma, G. G. Samudra, M. Peters, A. G. Aberle, F. Werner, J. Schmidt, and B. Hoex

Advanced modeling of the effective minority carrier lifetime of passivated crystalline silicon wafers Artikel

Journal of Applied Physics 112 (5), 054508, (2012).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, double layers, ozone, surface charge, surface passivation

F. Werner, A. Cosceev, and J. Schmidt

Interface recombination parameters of atomic-layer-deposited Al2O3 on crystalline silicon, Artikel

Journal of Applied Physics 111 (7), 073710, (2012).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, band gap, carrier density, ozone, surface charge

2011

F. Werner, B. Veith, D. Zielke, L. Kühnemund, C. Tegenkamp, M. Seibt, R. Brendel, and J. Schmidt

Electronic and chemical properties of the c-Si/Al2O3 interface Artikel

Journal of Applied Physics 109 (11), 113701, (2011).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, atomic layer deposition, carrier density, ozone, passivation

2010

F. Werner, B. Veith, V. Tiba, P. Poodt, F. Roozeboom, R. Brendel, and J. Schmidt

Very low surface recombination velocities on p- and n-type c-Si by ultrafast spatial atomic layer deposition of aluminum oxide Artikel

Applied Physics Letters 97 (16), 162103, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Aluminum, atomic layer deposition, carrier density, ozone, surface passivation

R. Bock, S. Mau, J. Schmidt, and R. Brendel

Back-junction back-contact n-type silicon solar cells with screen-printed aluminum-alloyed emitter Artikel

Applied Physics Letters 96 (26), 263507, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: ozone, passivation, Solar Cells, surface oxidation, surface passivation

B. Lim, K. Bothe, and J. Schmidt

Impact of oxygen on the permanent deactivation of boron–oxygen-related recombination centers in crystalline silicon Artikel

Journal of Applied Physics 107 (12), 123707, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Annealing, carrier lifetimes, illumination, interstitial defects, ozone

2008

B. Hoex, J. Schmidt, P. Pohl, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels

Silicon surface passivation by atomic layer deposited Al2O3 Artikel

Journal of Applied Physics 104 (4), 044903, (2008).

Links | BibTeX | Schlagwörter: atomic layer deposition, Doping, ozone, surface passivation, thin films

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