Veröffentlichungen

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2014

R. Peibst, U. Römer, K. R. Hofmann, B. Lim, T. F. Wietler, J. Krügener, N. -P. Harder, and R. Brendel

A simple model describing the symmetric IV characteristics of p polycrystalline Si/n monocrystalline Si and n polycrystalline Si/p monocrystalline Si junctions Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 4 (3), 841-850, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Bipolar transistors (BJTs), charge carriers, Doping, Junctions, Photovoltaic cells, Resistance, Semiconductor process modeling, silicon, Tunneling

J. Müller, H. Hannebauer, C. Mader, F. Haase, and K. Bothe

Dynamic infrared lifetime mapping for the measurement of the saturation current density of highly doped regions in silicon Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 4 (2), 540-548, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Cameras, charge carriers, Density measurement, Dynamic infrared lifetime mapping (ILM), Highly doped regions, Lighting, Photonics, recombination current, silicon, silicon solar cells, Temperature measurement

2013

R. Gogolin, and N. P. Harder

Trapping behavior of Shockley-Read-Hall recombination centers in silicon solar cells Artikel

Journal of Applied Physics 114 (6), 064504, (2013).

Links | BibTeX | Schlagwörter: band gap, carrier lifetimes, charge carriers, crystal defects, Solar Cells

2011

S. Steingrube, O. Breitenstein, K. Ramspeck, S. Glunz, A. Schenk, and P. P. Altermatt

Explanation of commonly observed shunt currents in c-Si solar cells by means of recombination statistics beyond the Shockley-Read-Hall approximation Artikel

Journal of Applied Physics 110 (1), 014515, (2011).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carbon capture and storage, charge carriers, electrical resistivity, p-n junctions, Wave functions

2010

J. Müller, K. Bothe, S. Gatz, F. Haase, C. Mader, and R. Brendel

Recombination at laser-processed local base contacts by dynamic infrared lifetime mapping Artikel

Journal of Applied Physics 108 (12), 124513, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: charge carriers, Current density, metallization, passivation, point contacts

N. P. Harder, R. Gogolin, and R. Brendel

Trapping-related recombination of charge carriers in silicon Artikel

Applied Physics Letters 97 (11), 112111, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier density, carrier lifetimes, charge carriers, crystal defects, silicon

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