Veröffentlichungen

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2019

D. Bredemeier, D. C. Walter, R. Heller, and J. Schmidt

Impact of Silicon Nitride Film Properties on Hydrogen In-Diffusion into Crystalline Silicon Inproceedings

WIP (Hrsg.): Proceedings of the 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 112-115, Marseille, France, (2019), ISBN: 3-936338-60-4.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: diffusion, Hydrogen, Rapid thermal annealing, silicon nitride

D. Bredemeier, D. C. Walter, and J. Schmidt

Impact of Silicon Nitride Film Properties on Hydrogen In-Diffusion into Crystalline Silicon Presentation/Poster

Marseille, France, 09.09.2019, (36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition).

Abstract | BibTeX | Schlagwörter: diffusion, Hydrogen, Rapid thermal annealing, silicon nitride

2018

D. Bredemeier, D. C. Walter, and J. Schmidt

Possible Candidates for Impurities in mc-Si Wafers Responsible for Light-Induced Lifetime Degradation and Regeneration Artikel

Solar RRL 2 (1), 1700159, (2018), ISSN: 2367-198X.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Carrier lifetime, Degradation, diffusion, Multicrystalline silicon

2016

J. Krügener, Y. Larionova, B. Wolpensinger, D. Tetzlaff, S. Reiter, M. Turcu, R. Peibst, J. -D. Kähler, and T. Wietler

Dopant diffusion from p+-poly-Si into c-Si during thermal annealing Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2451-2454, Portland, OR, USA, (2016), ISBN: 978-1-5090-2725-5.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Annealing, boron, diffusion, junction formation, Junctions, low pressure chemical vapor deposition, passivating contacts, Resistance, Scanning electron microscopy, silicon, Substrates, Temperature measurement

H. Wagner, A. Dastgheib-Shirazi, B. Min, A. E. Morishige, M. Steyer, G. Hahn, C. del Cañizo, T. Buonassisi, and P. P. Altermatt

Optimizing phosphorus diffusion for photovoltaic applications: Peak doping, inactive phosphorus, gettering, and contact formation Artikel

Journal of Applied Physics 119 , 185704, (2016).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: diffusion, Doping, secondary ion mass spectroscopy, Solar Cells, solubility

N. Wehmeier, B. Lim, A. Nowack, J. Schmidt, T. Dullweber, and R. Brendel

21.0%-efficient co-diffused screen-printed n-type silicon solar cell with rear-side boron emitter Artikel

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 10 (2), 148-152, (2016).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: boron silicate glass, diffusion, passivated emitter and rear totally diffused solar cells, plasma enhanced chemical vapor deposition, silicon

2013

A. Dastgheib-Shirazi, M. Steyer, G. Micard, H. Wagner, P. P. Altermatt, and G. Hahn

Relationships between Diffusion Parameters and Phosphorus Precipitation during the POCl3 Diffusion Process Artikel

Energy Procedia 38 , 254-262, (2013), ISSN: 1876-6102, (Proceedings of the 3rd International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (SiliconPV 2013)).

Links | BibTeX | Schlagwörter: diffusion, emitter, Precipitation, PSG, Solar Cells

N. Wehmeier, G. Schraps, H. Wagner, B. Lim, N. -P. Harder, and P. P. Altermatt

Boron-doped PECVD silicon oxides as diffusion sources for simplified high-efficiency solar cell fabrication Inproceedings

WIP (Hrsg.): Proceedings of the 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1980-1984, Paris, France, (2013), ISBN: 3-936338-33-7.

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, diffusion, Oxides, PECVD, Simulation

2012

J. Müller, K. Bothe, S. Herlufsen, H. Hannebauer, R. Ferre, and R. Brendel

Reverse saturation current density imaging of highly doped regions in silicon: A photoluminescence approach Artikel

Solar Energy Materials and Solar Cells 106 , 76-79, (2012), (SiliconPV).

Links | BibTeX | Schlagwörter: charge carrier lifetime, diffusion, Photolumincescence, Reverse saturation current density

M. Kessler, T. Ohrdes, P. P. Altermatt, and R. Brendel

The effect of sample edge recombination on the averaged injection-dependent carrier lifetime in silicon Artikel

Journal of Applied Physics 111 (5), 054508, (2012).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, diffusion, Doping, silicon, space charge effects

2010

C. Ulzhöfer, P. P. Altermatt, N. -P. Harder, and R. Brendel

Loss analysis of emitter-wrap-through silicon solar cells by means of experiment and three-dimensional device modeling Artikel

Journal of Applied Physics 107 (10), 104509, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: diffusion, Doping, electrical resistivity, Etching, Solar Cells

2009

J. Schmidt, N. Thiemann, R. Bock, and R. Brendel

Recombination lifetimes in highly aluminum-doped silicon Artikel

Journal of Applied Physics 106 (9), 093707, (2009).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, diffusion, Doping, electric fields, silicon

W. Stockum, I. Köhler, O. Doll, M. James, E. Plummer, L. Nanson, M. Prütz, S. Wyczanowski, M. Jahn, V. Mertens, and N. -P. Harder

Direct Inkjet Printing of SiO2 Diffusion Barrier for the Formation of Local Boron Back Surface Fields Inproceedings

WIP (Hrsg.): 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1723-1726, Hamburg, Germany, (2009), ISBN: 3-936338-25-6.

Links | BibTeX | Schlagwörter: diffusion, Diffusion Barrier, Doping, Inkjet, LBSF

D. Hinken, K. Bothe, K. Ramspeck, S. Herlufsen, and R. Brendel

Determination of the effective diffusion length of silicon solar cells from photoluminescence Artikel

Journal of Applied Physics 105 (10), 104516, (2009).

Links | BibTeX | Schlagwörter: diffusion, luminescence, photoluminescence, photons, Solar Cells

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