Veröffentlichungen

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2010

B. Lim, F. Rougieux, D. Macdonald, K. Bothe, and J. Schmidt

Generation and annihilation of boron–oxygen-related recombination centers in compensated p- and n-type silicon Artikel

Journal of Applied Physics 108 (10), 103722, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, crystal defects, Doping, interstitial defects, silicon

B. Lim, K. Bothe, and J. Schmidt

Impact of oxygen on the permanent deactivation of boron–oxygen-related recombination centers in crystalline silicon Artikel

Journal of Applied Physics 107 (12), 123707, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Annealing, carrier lifetimes, illumination, interstitial defects, ozone

2008

R. Krain, S. Herlufsen, and J. Schmidt

Internal gettering of iron in multicrystalline silicon at low temperature Artikel

Applied Physics Letters 93 (15), 152108, (2008).

Links | BibTeX | Schlagwörter: annealling, crystal defects, interstitial defects, Iron, silicon

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