Auf der diesjährigen, vollständig online durchgeführten EU PVSEC wurde der Beitrag von Michael Winter zu „Firing-Triggered LID (FT-LID) of the Carrier Lifetime in Cz-Si Wafers“ mit dem EU PVSEC Posteraward ausgezeichnet.
Bei einem der Großteil der aktuell produzierten Solarmodule werden häufig sogenannte lichtinduzierte Degradationseffekte beobachtet. Diese sind auf eine Verschlechterung der Ladungsträger-Lebensdauer (ein Maß für die Qualität des Materials) in den verwendeten Siliziumscheiben zurückzuführen. Abhängig davon, ob es sich um monokristallines (Czochralski-Silizium kurz Cz-Si) oder multikristallines Silizium (mc-Si) handelt, ist der bekannte Hauptdegradationseffekt entweder die Aktivierung von Bor-Sauerstoff (BO)-Defekten oder der sogenannte ‚Light and elevated Temperature Induced Degradation‘ (LeTID)-Effekt. Zusätzlich gab es in letzter Zeit auch mehrere Berichte über Effekte vom LeTID-Typ auf Cz-Si-Wafern und Solarzellen.
Auf der EU PVSEC stellte Michael Winter seinen experimentellen Ansatz vor, um zusätzliche Degradationseffekte vom LeTID-Typ in gefeuerten Cz-Si-Wafern von der traditionellen BO-Defekt-Aktivierung zu trennen. Im zweiten Teil seiner Studie verglich er den beobachteten nicht-BO-bezogenen Degradationseffekt in Cz-Si-Wafern mit dem Standard-LeTID-Effekt, der typischerweise bei mc-Si-Material beobachtet wird. Dabei wies er auf größere Unterschiede hin, die ihn zu der Schlussfolgerung führen, dass die detaillierte Physik der beiden Degradationseffekte nicht identisch ist.
In diesem 3-minütigen Video fasst Michael Winter die wichtigsten Punkte noch einmal zusammen: