Vom 24. bis zum 28. September 2018 wird in Brüssel die 35. European PV Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC) stattfinden, die im letzten Jahr von über 2500 Teilnehmern aus 85 Ländern besucht wurde. Das ISFH ist auf der Konferenz mit 10 Beiträgen vertreten.
Am frühen Montagnachmittag stellt Christian Kruse ein Simulationstool zur Durchführung einer synergistischen Effizienzgewinnanalyse (SEGA) von (vorhandenen) Si-Solarzellen wie PERC, PERC+, PERL, PERT und IBC-Zellen vor. (2AO.4.3 – Synergistic Efficiency Gain Analyses for the Photovoltaic Community: An Easy to Use SEGA Simulation Tool for Silicon Solar Cells) Dieses Tool wird der Photovoltaik-Community nach der Konferenz zur Verfügung gestellt.
Gleichzeitig stellt Dr. Dominic Walter in der Poster-Sitzung Lebensdauermessungen vor, die während des Regenerationsprozesses des Bor-Sauerstoff-Defektzentrums durchgeführt werden, also nicht bei Raumtemperatur, sondern unter den physikalisch relevanten Bedingungen. (2AV.1.29 – Lifetime Evolution during Regeneration in Boron-Doped Czochralski-Silicon)
Später vergleicht Prof. Dr. Rolf Brendel eine Vielzahl von selektiven Kontakten für Elektronen und Löcher, um besonders vielversprechende Kombinationen im Hinblick auf Effizienzpotenziale einerseits und praktische Prozesse andererseits zu finden. (1AO.2.6 – Screening selective contact material combinations for novel crystalline Si cell structures)
Am Dienstagmorgen ermittelt Dr. Malte Vogt den durchschnittlichen jährlichen relativen Stromgewinn f_bif für bifaziale PV-Module gegenüber monofazialen PV-Modulen. (5BO.9.5 – Impact of Using Spectrally Resolved Ground Albedo Data for Performance Simulations of Bifacial Modules)
Anschließend stellt Dr. Byungsul Min in der Plenarsitzung Silizium-Photovoltaik ausgewählte Highlights des EU-Horizont-2020-Projektes DISC vor, insbesondere zur Entwicklung von Zell- und Modulkomponenten wie z.B. In-freie, transparente, leitfähige Oxidschichten (TCO) mit geringem Sputtering-Schaden. (2BP.1.4 – Status of the EU H2020 Disc Project: European Collaboration in Research and Development of High Efficient Double Side Contacted Cells with Innovative Carrier-Selective Contacts)
Am Nachmittag bewertet Dr. Bianca Lim das Potenzial von fortgeschrittenem B-dotiertem Cz-Si mit extrem niedriger Sauerstoffkonzentration sowie Ga-dotiertem Cz-Si zur Vermeidung von LID in modernen bifazialen PERC+ Solarzellen. Zusätzlich wird die Lebensdauer und das Effizienzpotenzial von aktuellem B-dotiertem Cz-Si bewertet. (2BO.3.2 – LID-Free PERC+ Solar Cells with Stable Efficiencies Up to 22.1%)
Dennis Bredemeier präsentiert am Mittwochmorgen ein produktionstaugliches Mittel gegen LeTID auf industriell verfügbarem High Performance mc-Si-Material mit dem Inline-Regenerationsofen c.REG der centrotherm international AG. (2CO.9.4 – Production Compatible Remedy Against LeTID in High-Performance Multicrystalline Silicon Solar Cells)
Nach der Mittagspause führt Christina Klamt eine systematische Untersuchung an Poly-Si-Pin-Dioden-Teststrukturen mit unterschiedlichen Breiten der Poly-Si-Regionen von dgap = 0 bis 380 μm durch. Sie beobachtet einen starken Rückgang der Pin-Dioden-Rekombinationsstromdichte J mit zunehmender i-Bereichsbreite, insbesondere im Bereich zwischen 30 und 40 μm, wo sich J über vier Größenordnungen verändert. (2CO.10.1 – Intrinsic Poly-Crystalline Silicon Region in between the p+ and n+ POLO Contacts of an 26.1%-Efficient IBC Solar Cell)
Ebenfalls am Mittwochnachmittag kombiniert Valeriya Titova einen SiOy/TiOx/Al elektronenselektiven Rückkontakt und einen bordiffundierten Emitter, der durch einen Al2O3/SiNx-Stapel an der Zellfront auf einem n-Typ Cz-Si-Wafer passiviert wird. Sie demonstriert die Machbarkeit dieses Konzepts mit einem Zellwirkungsgrad von 20,3%, der jedoch nicht durch die TiOx-Schichtselektivität, sondern durch eine reduzierte Kurzschlussstromdichte Jsc und einen erhöhten Serienwiderstand Rs begrenzt ist. (2CO.11.4 – Implementation of Full-Area-Deposited Electron-Selective TiOx Layers into Silicon Solar Cells)
Am Donnerstag berichtet Agnes Merkle erstmals über in-situ phosphordotierte n+ und bordotierte p+ APCVD-Siliziumschichten. Für n+ und p+ Polysilizium auf Oxid (POLO) Übergänge basierend auf diesen Schichten zeigt sie Sättigungsstromdichten Jo von 10 fA/cm² bzw. 9 fA/cm² und gleichzeitig niedrigen Widerstand c von 18 mΩcm². Mit bordotierten APCVD-Schichten vom Typ p+ bereitet sie erste industrielle Proof-of-Concept-Solarzellen mit Wirkungsgraden bis zu 19,4 % vor. (2DV.3.49 – Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition of in-Situ Doped Amorphous Silicon Layers for Passivating Contacts)