Auf der diesjährigen SiliconPV, welche vom 19. bis 22. März 2018 in Lausanne, Schweiz, stattfindet, wird das ISFH mit 5 Vorträgen sowie 5 Postern vertreten sein. Zudem werden am Sonntag, den 18. März, kurze Tutorials abgehalten, welche junge Ingenieure und Nachwuchswissenschaftlerinnen auf den neuesten Stand bei diesem sich schnell entwickelndem Thema bringen sollen. An zwei dieser Tutorials ist das ISFH beteiligt.
Das Erste trägt den Titel “Understanding and controlling lifetime killers in p-type and n-type silicon wafers” und wird von Prof. Jan Schmidt gehalten, das zweite ist “Physics of passivating contacts and high temperature processes: how to get a maximum voltage from your cells” von Prof. Robby Peibst. Im ersten geht es um den Einfluss von Verunreinigungen im Siliziummaterial auf den Solarzellenwirkungsgrad, während das zweite Tutorial Einblicke in die gleichzeitige Optimierung von Oberflächenpassivierung und Entnahme der Majoritätsladungsträger durch passivierende Kontakte mittels Modellierung geben wird.
Am Montag früh präsentiert Dr. Felix Haase in seinem Vortrag “Laser Contact Openings for Local Poly-Si-Metal Contacts” in Session 1: Passivating Contacts wie Laserkontaktöffnungen eine lokale, schadensfreie Kontaktierung von passivierenden poly-Si on oxide (POLO) Kontakten ermöglichen. In einem Laborprozess wurde damit ein Rekordwirkungsgrad von 26,1 % für p-Typ Silizium erreicht. Die Laserkontaktöffnungen ermöglichen die lokale Kontaktierung des Poly-Si mit nicht durchfeuernden Siebdruckpasten.
Am Montag Nachmittag stellt Dr. Henning Schulte-Huxel auf seinem Poster “1-I-01 – Yield Analysis and Comparison of GaInP/Si and GaInP/GaAs Tandem Solar Cells“ in der Poster Session 1 ein neues Ertragsmodelles für Tandemsolarzellen (z.B. Si + III/V, Perowskite oder andere) für die Zelldaten aber noch keine ausreichenden Outoor-Messungen vorliegen vor. Berücksichtigt werden spektrale Effekte sowie die Modultemperatur in Abhängigkeit vom Wirkungsgrad, Einstrahlung und Wind. Gezeigt wird das Modell in der Anwendung für den Vergleich einer GaInP Topzelle auf einer GaAs oder Si Bottomzelle.
Lailah Helmich trägt am Dienstag in der Session 5: Silicon Materials and Defect Engineering über „In-situ characterization of electron-assisted regeneration of Cz-Si solar cells“ vor. Darin geht es um die in-situ Untersuchung der Regeneration des Bor-Sauerstoff-Defekts bei erhöhter Temperatur (der Regenerationstemperatur) im Dunkeln an PERC-Solarzellen. Dabei werden unterschiedliche konstante Spannungen angelegt, die die Elektronenkonzentration festlegen, und der Rekombinationsstrom der Zelle gemessen. Dies ermöglicht einen Rückschluss auf den Elektroneneinfluss auf die Regenerationskinetik.
In Session 9: Silicon Materials and Defect Engineering am Mittwoch wird Boris Veith-Wolf in seinem Vortrag “Reassessment of Intrinsic Lifetime Limit in n-type Crystalline Silicon and Implication on Maximum Solar Cell Efficiency” eine neue Parametrisierung der intrinsischen Lebensdauer für kristallines n-Typ Silizium vorstellen. Diese neue Parametrisierung hat Auswirkungen auf den maximal mit n-Typ Siliziumsolarzellen erreichbaren Wirkungsgrad, welcher höher liegt als bisher gedacht.
Marc Halbich stellt in Poster Session 3 zwei verschiedene Ansätze zur Verringerung der parasitären Absorption in einer PEDOT:PSS Schicht auf der Rückseite von Siliziumsolarzellen vor: (i) Anpassung der Dicke der PEDOT:PSS Schicht und (ii) Verbesserung der Transparenz der PEDOT:PSS Schicht durch Zusatz von nicht-leitfähigem Sorbitol in die Ausgangslösung. Der Titel des Posters lautet: “Reduction of Parasitic Absorption in PEDOT:PSS at the Rear of c-Si Solar Cells“
Ebenfalls in Poster Session 3 berichtet Valeriya Titova über die Auswirkungen von Tempern und Einbringen von Wasserstoff auf die Qualität der TiOx-Passivierung. Sie implementiert ihr optimiertes ALD-TiOx als elektronenselektive vollflächige Rückkontakte in n-Typ Siliziumsolarzellen und erreicht nach Niedertemperaturbehandlung Wirkungsgrade bis zu 20,1%, wie in „Electron-selective Atomic-layer-deposited TiOx Layers: Impact of Posttreatments and Implementation in n-Typ Siliziumsolarzellen“ (3-B-22) gezeigt.