Veröffentlichungen

Zeige alle

2014

D. Walter, B. Lim, V. V. Voronkov, R. Falster, and J. Schmidt

Investigation of the lifetime stability after regeneration in boron-doped Cz silicon Inproceedings

WIP (Hrsg.): Proceedings of the 29th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 555-559, Amsterdam, The Netherlands, (2014), ISBN: 3-936338-34-5.

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, defects, Lifetime, oxygen, Stability

2013

V. V. Voronkov, R. Falster, K. Bothe, and B. Lim

Light-induced Lifetime Degradation in Boron-doped Czochralski Silicon: Are Oxygen Dimers Involved? Artikel

Energy Procedia 38 , 636-641, (2013), ISSN: 1876-6102, (Proceedings of the 3rd International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (SiliconPV 2013)).

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, lifetime degradation, oxygen, silicon

D. Walter, B. Lim, R. Falster, J. Binns, and J. Schmidt

Understanding lifetime degradation in Czochralski-grown n-type silicon after high-temperature processing Inproceedings

WIP (Hrsg.): Proceedings of the 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 699-702, Paris, France, (2013), ISBN: 3-936338-33-7.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Lifetime, n-Type, oxygen, Precipitate, silicon

2012

D. Walter, B. Lim, K. Bothe, R. Falster, V. Voronkov, and J. Schmidt

Impact of crystal growth on boron-oxygen defect formation Inproceedings

WIP (Hrsg.): Proceedings of the 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 775-779, Frankfurt, Germany, (2012), ISBN: 3-936338-28-0.

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, Czochralski, defects, oxygen, silicon

2011

V. V. Voronkov, R. Falster, K. Bothe, B. Lim, and J. Schmidt

The Nature of Lifetime-Degrading Boron-Oxygen Centres Revealed by Comparison of P-Type and N-Type Silicon Inproceedings

Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XIV, 139-146, Trans Tech Publications, (2011).

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, lifetime degradation, oxygen, silicon

V. V. Voronkov, R. Falster, A. V. Batunina, D. Macdonald, K. Bothe, and J. Schmidt

Lifetime degradation mechanism in boron-doped Czochralski silicon Artikel

Energy Procedia 3 , 46-50, (2011), ISSN: 1876-6102, (EMRS-C ‘Materials devices and economics issues for tomorrow’s photovoltaics’).

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, Electron lifetime, oxygen, silicon

2009

M. A. Kessler, T. Ohrdes, B. Wolpensinger, R. Bock, and N. P. Harder

Characterisation and implications of the boron rich layer resulting from open-tube liquid source BBR3 boron diffusion processes Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2009 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 001556-001561, Philadelphia, PA, USA, (2009), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: boron, charge carrier lifetime, Degradation, Diffusion processes, Furnaces, Glass, oxygen, Scanning electron microscopy, silicon, Temperature

Um unsere Website für Sie optimal zu gestalten und fortlaufend verbessern zu können, verwenden wir Cookies. Durch die weitere Nutzung der Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Zur statistischen Auswertung der Besuche unserer Website nutzen wir die Analyse-Software Matomo. Weitere Informationen finden Sie <a href="https://isfh.de/data-protection-policy/">hier</a> in unserer Datenschutzerklärung. Dort befindet sich eine Möglichkeit, der Verarbeitung von Daten durch Matomo zu widersprechen Datenschutzerklärung

Zur statistischen Auswertung der Besuche unserer Website nutzen wir Matomo und die dazu notwendigen Cookies. Weitere Informationen und die Möglichkeit dem Tracking zu widersprechen finden Sie unter "Datenschutz". Piwik verwendet sogenannte "Cookies", das sind kleine Textdateien, die auf Ihrem Computer gespeichert werden und die eine Analyse der Benutzung der Internetseiten durch Sie ermöglichen. Unsere Datenschutzseite

Schließen