Veröffentlichungen

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2018

M. Schnabel, M. Rienäcker, E. L. Warren, J. F. Geisz, R. Peibst, P. Stradins, and A. C. Tamboli

Equivalent Performance in Three-Terminal and Four-Terminal Tandem Solar Cells Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 8 (6), 1584-1589, (2018), ISSN: 2156-3381.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Absorption, Computer architecture, Current measurement, Density measurement, III-V semiconductor materials, Microprocessors, Photovoltaic cells, Power system measurements, silicon

F. Haase, S. Schäfer, C. Klamt, F. Kiefer, J. Krügener, R. Brendel, and R. Peibst

Perimeter Recombination in 25%-Efficient IBC Solar Cells With Passivating POLO Contacts for Both Polarities Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 8 (1), 23-29, (2018), ISSN: 2156-3381.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Area measurement, charge carrier lifetime, Charge carrier lifetime analysis, Current measurement, Density measurement, Lighting, passivating contacts, perimeter recombination, Photovoltaic cells, Radiative recombination

2015

J. Krügener, R. Peibst, F. A. Wolf, E. Bugiel, T. Ohrdes, F. Kiefer, C. Schöllhorn, A. Grohe, R. Brendel, and H. J. Osten

Electrical and structural analysis of crystal defects after high-temperature rapid thermal annealing of highly boron ion-implanted emitters Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 5 (1), 166-173, (2015).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Annealing, boron, crystal defects, Density measurement, Doping, Ion implantation, photovoltaic, rapid thermal annealing (RTA), silicon, Surface texture, Temperature measurement

2014

J. Müller, H. Hannebauer, C. Mader, F. Haase, and K. Bothe

Dynamic infrared lifetime mapping for the measurement of the saturation current density of highly doped regions in silicon Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 4 (2), 540-548, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Cameras, charge carriers, Density measurement, Dynamic infrared lifetime mapping (ILM), Highly doped regions, Lighting, Photonics, recombination current, silicon, silicon solar cells, Temperature measurement

2013

S. Herlufsen, D. Hinken, M. Offer, J. Schmidt, and K. Bothe

Validity of calibrated photoluminescence lifetime measurements of silicon wafers for arbitrary lifetime and injection ranges Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 3 (1), 381-386, (2013).

Links | BibTeX | Schlagwörter: calibration, Carrier lifetime, Charge carrier density, charge carrier lifetime, crystalline silicon wafers, Density measurement, Imaging, photoconductance (PC), photoluminescence, photoluminescence (PL), Photonics, silicon

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