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2016

J. Krügener, Y. Larionova, B. Wolpensinger, D. Tetzlaff, S. Reiter, M. Turcu, R. Peibst, J. -D. Kähler, and T. Wietler

Dopant diffusion from p+-poly-Si into c-Si during thermal annealing Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2451-2454, Portland, OR, USA, (2016), ISBN: 978-1-5090-2725-5.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Annealing, boron, diffusion, junction formation, Junctions, low pressure chemical vapor deposition, passivating contacts, Resistance, Scanning electron microscopy, silicon, Substrates, Temperature measurement

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