Laser

Am ISFH stehen fünf Lasermaterialbearbeitungssysteme zur Verfügung mit Strahlquellen im IR-, VIS- und UV-Bereich. Die Pulsdauern reichen von rund 1 µs über den ns-Bereich bis unter 10 ps.

Alle Anlagen können Substrate bis mindestens 156 mm Kantenlänge bearbeiten und verfügen über Kamerasysteme zur Lageerkennung der Substrate bzw. zum Auffinden von Justiermarken auf den Substraten.

Typische Anwendungen sind

• die Ablation dielektrischer Schichten zur Kontaktöffnung (LCO) z.B. für PERC, n-PERT und IBC Solarzellen
• die Ablation von Diffusions- und Ätzbarrieren wie dielektrischer Schichten (Siliziumnitrid, Aluminiumoxid, Siliziumoxid)
• das Laserdotieren für PERC und n-PERT Solarzellen zur Formierung des selektiven Emitters bzw. Front-Surface-Fields
• das Aufschmelzen metallischer bzw. metallhaltiger Schichten zur elektrischen (LFC) und/oder mechanischen (AMELI) Kontaktierung
• das Schneiden, Bohren und Markieren von Silizium, Glas und metallischen Folien

Darüber hinaus bieten wir als Dienstleistung auch die Kunden-spezifische Einzel-Bearbeitung von Siliziumwafern für jegliche Verwendung in der Halbleitertechnik an. Dafür werden Substrate häufig von Kunden gestellt.