Das ISFH ist auf der diesjährigen SiliconPV, die vom 8. bis 10. April in Leuven, Belgien, stattfindet, mit insgesamt 14 Beiträgen vertreten. Neben zwei Tutorials wird es neun Vorträge sowie drei Posterpräsentationen geben:
Die Tutorials finden bereits am Sonntag, den 7. April, statt. Im ersten, das von Dennis Bredemeier (ISFH) und Axel Herguth (Universität Konstanz) gehalten wird, geht es um die Rolle von Wasserstoff bei der Passivierung von Defekten in Silizium (The Role of H in Passivating Silicon Defects). Im dritten Tutorial werden Prof. Dr. Robby Peibst (ISFH) und Dr. Frank Feldmann (Fraunhofer ISE) einen Überblick über passivierende Kontakte geben (Passivating Contacts Beyond a-Si:H/c-Si Heterojunctions).
Am Montag, den 8. April, nach dem Mittagessen wird Dr. Boris Veith-Wolf sein Poster mit dem Titel „Low-Temperature Silicon Surface Passivation for Bulk Lifetime Studies Based on Corona-Charged Al2O3“ (S1-31) vorstellen. In Session 3: Growing Insights in Light- and Temperature Induced Degradation Mechanisms, im Anschluss, präsentieren Dennis Bredemeier (Impact of SiNx:H Material Properties on Light and Elevated Temperature Induced Degradation (LeTID) in Mc-Si) und Michael Winter (Absence of Light and Elevated Temperature Induced Degradation (LeTID) of the Carrier Lifetime in Boron-Doped Cz-Silicon) ihre Ergebnisse.
In der letzten Session am Montag (Session 4: Progress in Process Step Development) gibt es zudem einen Vortrag von Dr. Nadine Wehmeier zum Thema „Inkjet-Printing of Phosphorus- and Boron-Doped Liquid Silicon Ink for Interdigitated Back Contact Solar Cells„. Der vorletzte Vortrag des Tages wird schließlich von Philip Jäger gehalten: Impact of the Thermal Budget of the Emitter Formation on the pFF of PERC+ Solar Cells.
Am Dienstagvormittag findet Session 6 – Detailed Studies on Hydrogen-In-Si statt. Dort wird Dr. Dominic Walter seine „Easy-to-Apply Methodology to Measure the Hydrogen Concentration in Boron-Doped Crystalline Silicon“ vorstellen. In Session 7: Novel Cell Interconnection Technologies and Module Degradation, am Dienstag nach dem Mittagessen, zeigt Dr. Henning Schulte-Huxel seine Arbeiten zum „Interconnect-Shingling: Maximizing the Active Module Area with Conventional Module Processes„.
Prof. Dr. Jan Schmidt schaut am Mittwochvormittag in einem 30-minütigem Vortrag auf „Surface Passivation of Crystalline Silicon Solar Cells: Past, Present and Future“ zurück. In der Poster Session 4: Silicon Material Investigation nach der Mittagspause erklärt Lailah Helmich ihr Poster mit dem Titel: „Direct Examination of the Boron-Oxygen Deactivation Via Electroluminescence Characterization of Cz-Si Solar Cells Under Regeneration Conditions“ (S4-10).
Etwas später, in Session 11: Progress in Kerfless Wafering, trägt Catherin Gemmel zu „Statistics of the Detachment Yield for Crystalline Silicon Layer Transfer Using the Porous Silicon Process“ vor. In Poster Session 5: Advanced Solar Cell Processing berichtet Dr. Martin Rudolph über „PERC+ solar cells with screen-printed dashed Ag front contacts“ (S5-27), bevor Dr. Sören Schäfer in der letzten Session (Session 12: High Efficiency PERX and IBC Solar Cell Processing) seine Untersuchungen zu „26%-efficient and 2 cm narrow interdigitated back contact silicon solar cells with passivated slits on two edges“ vorstellt.