Upgrade-Si-PV – Teilvorhaben: Industrienahe Deaktivierung des Bor-Sauerstoff-Komplexes in Silizium-Wafern und Solarzellen

Das Phänomen der lichtinduzierten Degradation (LID) von Solarzellen aus Bor-dotiertem Czochralski-Silizium (Cz-Si) wird seit vielen Jahren untersucht. So konnte am ISFH erstmals nachgewiesen werden, dass Bor-Sauerstoff-korrelierte (BO) Defekte für die LID von Cz-Si Material verantwortlich sind. Durch Temperung bei gleichzeitiger Beleuchtung ist eine permanente Deaktivierung des BO-Defektes möglich. Die bislang zur Deaktivierung durchgeführten Untersuchungen wurden dabei größtenteils an Lebensdauer-Teststrukturen vorgenommen und in geringerem Maße auch an PERC-Solarzellen. An einer direkten Überführung der permanenten Deaktivierung in einen industriellen Solarzellenprozess wurde bislang jedoch nicht gearbeitet. Diese Lücke soll in diesem Projekt geschlossen werden. Hauptziel dieses Vorhabens ist es daher, ein industrienah einsetzbares Verfahren zur permanenten Deaktivierung des BO-Komplexes zu testen und die Grenzen und Anwendungsmöglichkeiten zu benennen.