Veröffentlichungen

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2016

D. Bredemeier, D. Walter, S. Herlufsen, and J. Schmidt

Lifetime degradation and regeneration in multicrystalline silicon under illumination at elevated temperature Artikel

AIP Advances 6 , 035119, (2016).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, crystal defects, illumination, semiconductor device fabrication, Solar Cells

2014

J. D. Murphy, R. E. McGuire, K. Bothe, V. V. Voronkov, and R. Falster

Competitive gettering of iron in silicon photovoltaics: Oxide precipitates versus phosphorus diffusion Artikel

Applied Physics Letters 116 (5), 053514, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, Iron, silicon, Solar Cells, solubility

2013

H. Wagner, M. Müller, G. Fischer, and P. P. Altermatt

A simple criterion for predicting multicrystalline Si solar cell performance from lifetime images of wafers prior to cell production Artikel

Journal of Applied Physics 114 (5), 054501, (2013).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, cell processes, Numerical modeling, photoconductivity, Solar Cells

R. Gogolin, and N. P. Harder

Trapping behavior of Shockley-Read-Hall recombination centers in silicon solar cells Artikel

Journal of Applied Physics 114 (6), 064504, (2013).

Links | BibTeX | Schlagwörter: band gap, carrier lifetimes, charge carriers, crystal defects, Solar Cells

J. D. Murphy, K. Bothe, V. V. Voronkov, and R. J. Falster

On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon Artikel

Applied Physics Letters 102 (4), 042105, (2013).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, electron capture, electrons, Iron, silicon

2012

F. J. Ma, G. G. Samudra, M. Peters, A. G. Aberle, F. Werner, J. Schmidt, and B. Hoex

Advanced modeling of the effective minority carrier lifetime of passivated crystalline silicon wafers Artikel

Journal of Applied Physics 112 (5), 054508, (2012).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, double layers, ozone, surface charge, surface passivation

M. Kessler, T. Ohrdes, P. P. Altermatt, and R. Brendel

The effect of sample edge recombination on the averaged injection-dependent carrier lifetime in silicon Artikel

Journal of Applied Physics 111 (5), 054508, (2012).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, diffusion, Doping, silicon, space charge effects

2011

J. D. Murphy, K. Bothe, M. Olmo, V. V. Voronkov, and R. J. Falster

The effect of oxide precipitates on minority carrier lifetime in p-type silicon Artikel

Journal of Applied Physics 110 (5), 053713, (2011).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, dislocations, Iron, nucleation, stacking faults

2010

N. P. Harder, R. Gogolin, and R. Brendel

Trapping-related recombination of charge carriers in silicon Artikel

Applied Physics Letters 97 (11), 112111, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier density, carrier lifetimes, charge carriers, crystal defects, silicon

B. Lim, K. Bothe, and J. Schmidt

Impact of oxygen on the permanent deactivation of boron–oxygen-related recombination centers in crystalline silicon Artikel

Journal of Applied Physics 107 (12), 123707, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Annealing, carrier lifetimes, illumination, interstitial defects, ozone

2009

K. Ramspeck, K. Bothe, J. Schmidt, and R. Brendel

Combined dynamic and steady-state infrared camera based carrier lifetime imaging of silicon wafers Artikel

Journal of Applied Physics 106 (11), 114506, (2009).

Links | BibTeX | Schlagwörter: calibration, Cameras, carrier density, carrier lifetimes, illumination

2008

B. Lim, S. Hermann, K. Bothe, J. Schmidt, and R. Brendel

Solar cells on low-resistivity boron-doped Czochralski-grown silicon with stabilized efficiencies of 20% Artikel

Applied Physics Letters 93 (16), 162102, (2008).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, dielectric nitrides, illumination, silicon, Solar Cells

K. Ramspeck, S. Reissenweber, J. Schmidt, K. Bothe, and R. Brendel

Dynamic carrier lifetime imaging of silicon wafers using an infrared-camera-based approach Artikel

Applied Physics Letters 93 (10), 102104, (2008).

Links | BibTeX | Schlagwörter: calibration, Cameras, carrier density, carrier lifetimes, data acquisition

H. Plagwitz, B. Terheiden, and R. Brendel

Staebler–Wronski-like formation of defects at the amorphous-silicon–crystalline silicon interface during illumination Artikel

Journal of Applied Physics 103 (9), 094506, (2008).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier lifetimes, crystal defects, dangling bonds, illumination, interface structure

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