Veröffentlichungen

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2018

F. Haase, S. Schäfer, C. Klamt, F. Kiefer, J. Krügener, R. Brendel, and R. Peibst

Perimeter Recombination in 25%-Efficient IBC Solar Cells With Passivating POLO Contacts for Both Polarities Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 8 (1), 23-29, (2018), ISSN: 2156-3381.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Area measurement, charge carrier lifetime, Charge carrier lifetime analysis, Current measurement, Density measurement, Lighting, passivating contacts, perimeter recombination, Photovoltaic cells, Radiative recombination

2016

B. Veith-Wolf, R. Witteck, A. Morlier, H. Schulte-Huxel, and J. Schmidt

Effect of UV illumination on the passivation quality of AlOx/c-Si interfaces Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 1173-1178, Portland, OR, USA, (2016), ISBN: 978-1-5090-2725-5.

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: Aluminum oxide, Annealing, Carrier lifetime, crystalline silicon, Degradation, Firing, Glass, Lifetime estimation, Lighting, passivation, silicon nitride, surface passivation, UV stability

2014

J. Müller, H. Hannebauer, C. Mader, F. Haase, and K. Bothe

Dynamic infrared lifetime mapping for the measurement of the saturation current density of highly doped regions in silicon Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 4 (2), 540-548, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Cameras, charge carriers, Density measurement, Dynamic infrared lifetime mapping (ILM), Highly doped regions, Lighting, Photonics, recombination current, silicon, silicon solar cells, Temperature measurement

2011

F. E. Rougieux, M. Forster, D. Macdonald, A. Cuevas, B. Lim, and J. Schmidt

Recombination Activity and Impact of the Boron-Oxygen-Related Defect in Compensated N-Type Silicon Artikel

IEEE Journal of Photovoltaics 1 (1), 54-58, (2011), ISSN: 2156-3381.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Compensated, Degradation, Doping, light-induced degradation, Lighting, Mathematical model, n-Type, Photovoltaic cells, silicon

2008

B. Lim, K. Bothe, and J. Schmidt

Modeling the generation and dissociation of the boron-oxygen complex in B-Doped Cz-Si Inproceedings

IEEE (Hrsg.): 2008 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1-4, San Diego, CA, USA, (2008), ISSN: 0160-8371.

Links | BibTeX | Schlagwörter: Annealing, charge carrier lifetime, Degradation, Lighting, Photovoltaic cells, Semiconductor device modeling, silicon, Solar power generation, Temperature, Voltage

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