Veröffentlichungen

Zeige alle

2017

V. Steckenreiter, D. C. Walter, and J. Schmidt

Kinetics of the permanent deactivation of the boron-oxygen complex in crystalline silicon as a function of illumination intensity Artikel

AIP Advances 7 (3), 035305, (2017).

Abstract | Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier density, illumination, plasma chemical vapor deposition, semiconductor device fabrication, silicon

2014

F. Werner, and J. Schmidt

Manipulating the negative fixed charge density at the c-Si/Al2O3 interface Artikel

Applied Physics Letters 104 (9), 091604, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, carrier density, ozone, semiconductor device characterization, silicon

H. Wagner, T. Ohrdes, A. Dastgheib-Shirazi, B. Puthen-Veettil, D. König, and P. P. Altermatt

A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells Artikel

Journal of Applied Physics 115 (4), 044508, (2014).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier density, Doping, gallium, III-V semiconductors, Solar Cells

2012

F. Werner, A. Cosceev, and J. Schmidt

Interface recombination parameters of atomic-layer-deposited Al2O3 on crystalline silicon, Artikel

Journal of Applied Physics 111 (7), 073710, (2012).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, band gap, carrier density, ozone, surface charge

2011

F. E. Rougieux, B. Lim, J. Schmidt, M. Forster, D. Macdonald, and A. Cuevas

Influence of net doping, excess carrier density and annealing on the boron oxygen related defect density in compensated n-type silicon Artikel

Journal of Applied Physics 110 (6), 063708, (2011).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Annealing, boron, carrier density, Doping, silicon

F. Werner, B. Veith, D. Zielke, L. Kühnemund, C. Tegenkamp, M. Seibt, R. Brendel, and J. Schmidt

Electronic and chemical properties of the c-Si/Al2O3 interface Artikel

Journal of Applied Physics 109 (11), 113701, (2011).

Links | BibTeX | Schlagwörter: aluminium, atomic layer deposition, carrier density, ozone, passivation

2010

F. Werner, B. Veith, V. Tiba, P. Poodt, F. Roozeboom, R. Brendel, and J. Schmidt

Very low surface recombination velocities on p- and n-type c-Si by ultrafast spatial atomic layer deposition of aluminum oxide Artikel

Applied Physics Letters 97 (16), 162103, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: Aluminum, atomic layer deposition, carrier density, ozone, surface passivation

N. P. Harder, R. Gogolin, and R. Brendel

Trapping-related recombination of charge carriers in silicon Artikel

Applied Physics Letters 97 (11), 112111, (2010).

Links | BibTeX | Schlagwörter: carrier density, carrier lifetimes, charge carriers, crystal defects, silicon

2009

K. Ramspeck, K. Bothe, J. Schmidt, and R. Brendel

Combined dynamic and steady-state infrared camera based carrier lifetime imaging of silicon wafers Artikel

Journal of Applied Physics 106 (11), 114506, (2009).

Links | BibTeX | Schlagwörter: calibration, Cameras, carrier density, carrier lifetimes, illumination

2008

K. Ramspeck, S. Reissenweber, J. Schmidt, K. Bothe, and R. Brendel

Dynamic carrier lifetime imaging of silicon wafers using an infrared-camera-based approach Artikel

Applied Physics Letters 93 (10), 102104, (2008).

Links | BibTeX | Schlagwörter: calibration, Cameras, carrier density, carrier lifetimes, data acquisition

Um unsere Website für Sie optimal zu gestalten und fortlaufend verbessern zu können, verwenden wir Cookies. Durch die weitere Nutzung der Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Zur statistischen Auswertung der Besuche unserer Website nutzen wir die Analyse-Software Matomo. Weitere Informationen finden Sie <a href="https://isfh.de/data-protection-policy/">hier</a> in unserer Datenschutzerklärung. Dort befindet sich eine Möglichkeit, der Verarbeitung von Daten durch Matomo zu widersprechen Datenschutzerklärung

Zur statistischen Auswertung der Besuche unserer Website nutzen wir Matomo und die dazu notwendigen Cookies. Weitere Informationen und die Möglichkeit dem Tracking zu widersprechen finden Sie unter "Datenschutz". Piwik verwendet sogenannte "Cookies", das sind kleine Textdateien, die auf Ihrem Computer gespeichert werden und die eine Analyse der Benutzung der Internetseiten durch Sie ermöglichen. Unsere Datenschutzseite

Schließen